Se il Samsung Galaxy S8 ha il gravoso compito di risollevare le sorti del produttore sudcoreano dopo il caso Note 7, ebbene le premesse ci sono tutte per ben sperare nel prossimo top di gamma. Da poche ore, l’azienda ha infatti annunciato l’inizio della produzione di massa di chip a 10 nanometri (nm) per il Qualcomm Snapdragon 830. Quali differenze rispetto al passato?
L’attuale Samsung Galaxy S7, per intenderci, può avvalersi di uno Snapdragon 820 con tecnologia a 14 nm FinFET. La successiva evoluzione, attesa sul mercato per inizio 2017, è appunto quella a 10 nanometri Fan-out Panel Level Package (FoPLP) che eliminerà il circuito stampato previsto per il substrato del package: in sostanza, rispetto al chip di questo 2016, ne sta per arrivare uno più sottile e dunque meno ingombrante ma soprattutto più performante. La sempre più spinta miniaturizzazione di queste componenti, come è noto, garantisce un aumento della potenza elaborativa e dunque delle prestazioni.
Un chip a 10 nanometri per il Samsung Galaxy S8 promette bene per altri due aspetti: il consumo energetico dovrebbe essere, ancora una volta ridotto, così come le temperature operative dovrebbero tenersi più basse (senza rischio di surriscaldamenti quando particolarmente stressato dunque). Lato produttore, il raggiungimento della produzione di massa della tecnologia ha inoltre il suo vantaggio concreto: lavorare su chip più miniaturizzati abbassa ancora i costi per la fabbricazione di ogni singola unità. Da considerare solo più esose le spese di inizio impianto e manutenzione.
Per quanto non espressamente dichiarato, non ci sono dubbi sul fatto che il Samsung Galaxy S8 possa beneficiare della nuova tecnologia, come già l’anno scorso il chip a 14 nanometri è stato una prerogativa del Samsung Galaxy S7. L’evoluzione non si arresta anche nell’ottica del futuro: TSMC ha dichiarato che per il 2018 ha intenzione di introdurre chip a 7 nanometri e di certo anche il produttore coreano seguirà questo trend.